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半導(dǎo)體行業(yè)薄膜沉積設(shè)備腔室清潔終點檢測解決方案

1. 腔室清潔終點精確控制的重要性與挑戰(zhàn)


薄膜沉積(如CVD/ALD)、光刻和刻蝕是半導(dǎo)體制造的三大核心工藝,其中薄膜沉積作為基礎(chǔ)環(huán)節(jié),負責(zé)金屬、介質(zhì)及半導(dǎo)體薄膜的制備。為確保薄膜沉積工藝的穩(wěn)定性,需定期使用NF?對腔室進行清潔,以去除積聚的聚合物材料。
精確控制清潔終點至關(guān)重要:
清潔不足:殘留沉積物會形成顆粒污染,導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降
過度清潔:增加NF?消耗、延長設(shè)備停機時間并縮短腔室壽命。
傳統(tǒng)方法依賴經(jīng)驗時間控制清潔終點,但最佳清潔時間受多變量影響(如沉積厚度、溫度、壓力、氣體流量及材料化學(xué)組成),且這些參數(shù)可能隨時間漂移。因此,多數(shù)工藝會延長清潔時間以確保徹底清潔,但這也造成了資源浪費。

2. 腔室清潔終點副產(chǎn)物氣體檢測方法的基本理論


腔室清潔的原理是NF?與沉積物反應(yīng)生成氣體(如SiF?)后通過泵排出。清潔過程中,SiF?分壓會經(jīng)歷以下變化:
初始階段:SiF?分壓急劇上升;
清潔完成:分壓回落至基線水平。

Johnson等(2004)提出通過質(zhì)譜儀實時監(jiān)測SiF?分壓來確定清潔終點。由于氣體排出存在滯后,終點定義為SiF?濃度曲線后沿漸近線與基線水平線的交點(圖1)。近年來,紅外氣體傳感器因其實時性和可靠性,已成為主流檢測手段。


圖1 用于確定清潔終點時間的SiF?濃度曲線(Johnson et al. 2004)


3. 腔室清潔終點檢測設(shè)備的國產(chǎn)化替代需求


2025年3月5日,國務(wù)院總理李強在《政府工作報告》中強調(diào)“以科技創(chuàng)新推動關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控”,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被列為國家戰(zhàn)略支柱。然而,半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件長期依賴歐美日廠商,紅外氣體傳感器等核心零部件面臨斷供風(fēng)險。國產(chǎn)化替代不僅是技術(shù)自主的必然要求,更是保障產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵舉措。


4. 解決方案


四方儀器作為國際領(lǐng)先的紅外氣體傳感器制造商,針對薄膜沉積設(shè)備清潔終點檢測需求,推出Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器


圖2 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器


4.1 技術(shù)優(yōu)勢


雙光束紅外(NDIR)技術(shù):采用電調(diào)制光源和集成雙通道探測器,顯著提升抗干擾能力;
環(huán)境適應(yīng)性:通過參考通道補償溫度、濕度及交叉氣體干擾,確保測量穩(wěn)定性;
高精度:量程0~200 mTorr,準確度≤±1.0% F.S.,響應(yīng)時間T90≤2秒。


圖3 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器光學(xué)結(jié)構(gòu)


4.2 產(chǎn)品性能(表1)


實驗室測試顯示,傳感器的線性準確度(圖4)、響應(yīng)時間(圖4)、重復(fù)性和檢出限等均滿足CVD腔室清潔的實時監(jiān)測需求。


表1 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器的技術(shù)參數(shù)


圖4 Gasboard-2060 SiF?紅外氣體傳感器的線性檢查與響應(yīng)時間檢查


4.3 應(yīng)用案例


實際測試中,Gasboard-2060在重復(fù)清潔過程中表現(xiàn)出極高的穩(wěn)定性(圖6)??蛻舴答伷湫阅芤堰_到或超越進口產(chǎn)品,成功實現(xiàn)清潔終點的精準控制,助力CVD設(shè)備技術(shù)升級。


圖5 CVD腔室結(jié)構(gòu)及紅外傳感器測量點


圖6 CVD設(shè)備2次重復(fù)腔室清潔試驗的Gasboard-2060 SiF?實測數(shù)據(jù)曲線

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